[发明专利]用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610737321.9 申请日: 2016-08-26
公开(公告)号: CN106229080B 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 陶洪;徐苗;许志平;彭俊彪;王磊;邹建华 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司44245 代理人: 罗观祥
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于半导体制造技术领域,公开了用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法。所述方法为a.在衬底上沉积第一金属层,并将金属层图形化为金属导电网格;b.涂覆负性光刻胶,从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理,形成导电网格模具;c.使用电镀方法,在金属导电网格上沉积第二金属层,并通过导电网格模具形成导电网格;d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层;e.在透明导电层上制作有机保护层,形成低阻值透明导电网络膜。本发明通过引入电镀法,并结合埋入式结构,在不增加金属网格线宽的同时,尽量增厚金属层的厚度,实现超厚、超细的金属网格,满足了柔性电子器件对低阻值、高透明导电网络的要求。
搜索关键词: 用于 柔性 电子器件 阻值 透明 导电 网络 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:a.在衬底上沉积第一金属层,并将金属层图形化为超细的金属导电网格;b.制备导电网格模具:在金属导电网格和未被金属导电网格覆盖的衬底上涂覆负性光刻胶,从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理,形成导电网格模具;c.使用电镀方法,在金属导电网格上沉积第二金属层,并通过导电网格模具形成导电网格;d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层;e.在透明导电层上制作有机保护层,形成低阻值透明导电网络膜;步骤a中所述金属导电网格的线宽为0.1至50μm;步骤c中所述第二金属层的厚度为1至10um;步骤d中所述透明导电层的材料为透明氧化物材料、银纳米线、碳纳米管或石墨烯中的一种以上;步骤e中所述有机保护层材料为聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种以上;步骤a中所述衬底材料为超薄玻璃、聚酰亚胺薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮或聚甲基丙烯酸甲酯。
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