[发明专利]一种大单晶双层石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 201610737647.1 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106335897B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈珊珊;王伟伟;陈香萍 | 申请（专利权）人： | 中国人民大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100872 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大单晶双层石墨烯的制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用单层石墨烯作为种子层，采用化学气相沉积法在绝缘衬底上生长石墨烯，即在所述绝缘衬底上得到双层石墨烯。本发明使用单层石墨烯作为双层石墨烯生长的种子层，通过化学气相沉积控制双层石墨烯大面积的生长，实现双层石墨烯的堆叠结构控制。利用纳米铜粉等催化剂在高温下蒸出铜微粒，通过载气将铜蒸汽送到反应衬底处，催化裂解碳源，获得的碳原子或原子团通过气流飘到满单层石墨烯的衬底上，在单层石墨烯上外延生长双层石墨烯，提高生长效率，实现“自下而上”堆叠的制备方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大单晶 双层 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大单晶双层石墨烯的制备方法，包括如下步骤：利用单层石墨烯作为种子层，采用化学气相沉积法在覆盖所述单层石墨烯的绝缘衬底上生长石墨烯，即在所述绝缘衬底上得到双层石墨烯；所述化学气相沉积法包括如下步骤：将所述绝缘衬底和盛放有催化剂的石英管放置于反应腔中，且所述绝缘衬底与所述石英管之间设有间距；向所述反应腔中通入碳源和载气，加热所述反应腔，即在所述单层石墨烯上生长石墨烯得到所述双层石墨烯；所述催化剂为纳米铜粉；所述间距为5~10cm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民大学，未经中国人民大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610737647.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种由二氧化碳放电还原制备石墨烯的方法
- 下一篇：一种石墨烯的制备方法
