[发明专利]双重图形化的方法

摘要

一种双重图形化的方法，包括：在核心层顶部和侧壁上、以及第二区域的基底上形成侧墙层；在第二子区域的侧墙层上形成牺牲层；对所述牺牲层顶部以及侧墙层顶部进行平坦化处理，暴露出所述核心层顶部；采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述牺牲层以及核心层，使得剩余核心层顶部与所述第二子区域剩余牺牲层顶部齐平；采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除所述剩余核心层，且还刻蚀去除位于所述第二子区域的侧墙层，暴露出所述第一区域基底以及第二子区域基底；以所述第一子区域的侧墙层为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。本发明减小了目标图形两侧的剩余基底表面高度差值，提高了形成的目标图形质量。

主权项

一种双重图形化的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括依次间隔排列的第一区域和第二区域，所述第二区域包括紧挨相邻第一区域的第一子区域、以及位于相邻第一子区域之间的第二子区域，其中，所述第一区域的基底上形成有核心层；在所述核心层顶部和侧壁上、以及第二区域的基底上形成侧墙层，所述第一子区域的侧墙层位于所述核心层侧壁上，所述第二子区域的侧墙层顶部低于所述核心层顶部，且所述第二子区域的侧墙层底部高于所述核心层底部；在所述第二子区域的侧墙层上形成牺牲层，且所述牺牲层顶部高于所述核心层顶部或与所述核心层顶部齐平；对所述牺牲层顶部以及侧墙层顶部进行平坦化处理，去除高于所述核心层顶部的牺牲层以及侧墙层，暴露出所述核心层顶部；采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述牺牲层以及核心层，使得剩余核心层顶部与所述第二子区域剩余牺牲层顶部齐平；采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除所述剩余核心层，且还刻蚀去除位于所述第二子区域的侧墙层，暴露出所述第一区域基底以及第二子区域基底；以所述第一子区域的侧墙层为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。