[发明专利]一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法有效
| 申请号： | 201610738999.9 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107779820B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金平实;曹逊;孙光耀;李荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述二氧化钒薄膜由通过磁控溅射技术依次形成在衬底上的缓冲层以及二氧化钒薄膜层构成，所述缓冲层为二氧化钒缺氧层，其中所述二氧化钒缺氧层的结构式为VOx，其中1.0≤x≤1.75。本发明使用的缓冲层（二氧化钒缺氧层（例如三氧化二钒层）），具有籽晶层与缓冲层的双重功能。以钒的三价氧化物三氧化二钒为例，三氧化二钒具有很宽的结晶温度区间，从室温到850℃均可自发结晶，这一性质为在三氧化二钒层上实现二氧化钒薄膜层的低温沉积奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 及其 低温 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化钒薄膜，其特征在于，所述二氧化钒薄膜由通过磁控溅射技术依次形成在衬底上的缓冲层以及二氧化钒薄膜层构成，所述缓冲层为二氧化钒缺氧层，其中所述二氧化钒缺氧层的结构式为VOx，其中1.0≤x≤1.75；所述缓冲层的厚度为2～100nm；所述二氧化钒薄膜层为纯相的单斜晶相或四方晶相二氧化钒。/n
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