[发明专利]一种太阳能电池片的生产工艺在审

专利信息
申请号: 201610739116.6 申请日: 2016-08-27
公开(公告)号: CN106098860A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 赵华飞 申请(专利权)人: 浙江中晶新能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/056
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 韩洪
地址: 314300 浙江省嘉兴市海盐县西塘*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:硅片的检测、表面制绒、清洗、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、烧结和镀反射膜,本发明通过采用特殊的表面制绒、扩散制结的生产工艺,从而增加了太阳能电池片的光能利用率;本发明还通过增加了背面镀反射膜工艺,从而使透过太阳能电池片的光线,重新被二次利用,进而增加了太阳能电池片的光能利用率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 生产工艺
【主权项】:
一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)硅片的检测:首先来料硅片的表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹进行检测;b)表面制绒:将步骤a)检测合格的硅片放入制绒溶液中,进行表面腐蚀制绒;c)清洗:将步骤b)表面制绒后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中进行清洗;d)扩散制结:将步骤c)清洗后的硅片放入扩散炉中进行扩散制结;e)去磷硅玻璃:将步骤d)扩散制结后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;f)等离子刻蚀:将步骤e)处理过后的硅片,进行等离子刻蚀处理,以去除硅片边缘的PN结;g)镀减反射膜:将步骤f)等离子刻蚀处理后的硅片,在PECVD设备上,镀一层减反射膜;h)丝网印刷:将步骤g)做镀减反射膜处理后的硅片,在丝网印刷上制备正负电机;i)烧结:将步骤h)丝网印刷后的硅片,放入烧结炉中做烧结处理,从而得到粗制太阳能电池片;j)镀反射膜:将步骤i)粗制太阳能电池片的背面电极的一面,镀一层银反射膜,并淋层保护漆,从而得到太阳能电池片。
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