[发明专利]一种太阳能电池片的生产工艺在审
申请号: | 201610739116.6 | 申请日: | 2016-08-27 |
公开(公告)号: | CN106098860A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 赵华飞 | 申请(专利权)人: | 浙江中晶新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/056 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 韩洪 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市海盐县西塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:硅片的检测、表面制绒、清洗、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、烧结和镀反射膜,本发明通过采用特殊的表面制绒、扩散制结的生产工艺,从而增加了太阳能电池片的光能利用率;本发明还通过增加了背面镀反射膜工艺,从而使透过太阳能电池片的光线,重新被二次利用,进而增加了太阳能电池片的光能利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 生产工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)硅片的检测:首先来料硅片的表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹进行检测;b)表面制绒:将步骤a)检测合格的硅片放入制绒溶液中,进行表面腐蚀制绒;c)清洗:将步骤b)表面制绒后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中进行清洗;d)扩散制结:将步骤c)清洗后的硅片放入扩散炉中进行扩散制结;e)去磷硅玻璃:将步骤d)扩散制结后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;f)等离子刻蚀:将步骤e)处理过后的硅片,进行等离子刻蚀处理,以去除硅片边缘的PN结;g)镀减反射膜:将步骤f)等离子刻蚀处理后的硅片,在PECVD设备上,镀一层减反射膜;h)丝网印刷:将步骤g)做镀减反射膜处理后的硅片,在丝网印刷上制备正负电机;i)烧结:将步骤h)丝网印刷后的硅片,放入烧结炉中做烧结处理,从而得到粗制太阳能电池片;j)镀反射膜:将步骤i)粗制太阳能电池片的背面电极的一面,镀一层银反射膜,并淋层保护漆,从而得到太阳能电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的