[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201610739672.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206876A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;王明洋;戴俊;闫其昂;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种发光二极管外延片的制造方法，涉及紫外（UV）光的LED外延片的生产的技术领域。在外延生长AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN空穴阻挡层、多量子阱有源区和AlGaN电子阻挡层时，通入N源前驱物和III族金属有机化合物，本发明采用低分解温度的有机氮源为N源前驱物，能够在较低V/III比下获得充足的活性N源，避免过多的V族N源前驱物与III族III族金属有机化合物形成预反应，改善晶体生长质量，提高LED内量子效率，以此外延片制成的发光二极管的发光波长可达200～400nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的制造方法，在衬底的同一侧依次外延生长AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN空穴阻挡层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层、AlGaN空穴注入层，其特征在于：在外延生长AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN空穴阻挡层、多量子阱有源区和AlGaN电子阻挡层时，通入N源前驱物和III族金属有机化合物，其特征在于：所述N源前驱物为低分解温度的有机氮源。
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