[发明专利]具有通过夹层延伸的接触结构的半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种具有通过夹层延伸的接触结构的半导体器件及其制造方法。在半导体层(100a)的主表面(101a)上形成层堆叠(600)，其中层堆叠(600)包括介电覆盖层(210a)和在覆盖层(210a)与半导体层(100a)之间的金属层(310a)。去除层堆叠(600)的第二部分(620)以在剩余的第一部分(610)之间形成间隙(611)。在间隙(611)中形成第二介电材料的调整结构(220)。形成覆盖辅助结构(220)和第一部分(610)的第一介电材料或第三介电材料的夹层(230)。形成通过夹层(230)和覆盖层(210a)延伸至金属结构(311，321)的接触沟槽(301)，金属结构(311，321)由第一部分(610)中的金属层(310a)的剩余部分形成，其中覆盖层(210a)相对调整结构(220)被选择性地蚀刻。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体部分(100)中形成晶体管单元(TC)；在半导体层(100a)的主表面(101a)上形成层堆叠(600)，其中所述层堆叠(600)包括介电覆盖层(210a)和在所述覆盖层(210a)与所述半导体层(100a)之间的金属层(310a)；去除所述层堆叠(600)的第二部分(620)以在所述层堆叠(600)的剩余的第一部分(610)之间形成间隙(611)，其中从所述金属层(310a)形成直接毗连至所述晶体管单元(TC)的源构造(110)的第一金属结构(311)以及直接毗连至所述晶体管单元(TC)的漏构造(120)的第二金属结构(321)；在所述间隙(611)中形成第二介电材料的辅助结构(220)；形成第一介电材料或第三介电材料的夹层(230)，其中所述夹层(230)覆盖所述辅助结构(220)和所述第一部分(610)；以及形成通过所述夹层(230)和所述覆盖层(210a)延伸至所述第一金属结构(311)和第二金属结构(321)的接触沟槽(301)，所述第一金属结构(311)和第二金属结构(321)由所述层堆叠(600)的所述第一部分(610)中的所述金属层(310a)的剩余部分形成，其中所述覆盖层(210a)相对所述辅助结构(220)被选择性地蚀刻。