[发明专利]FDSOI技术中使用可调式时序电路的方法、装置及系统在审
| 申请号： | 201610740845.3 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486425A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | A·米塔尔;M·拉希德 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及FDSOI技术中使用可调式时序电路的方法、装置及系统，其所揭露的至少一个方法、装置及系统包含提供用于制造半导体装置的设计。执行半导体装置电路设计的操作模型化。界定至少一个晶体管用于提供顺向偏置该晶体管的第一电压或用于反向偏置该晶体管的第二电压其中至少一个。依据界定该至少一个晶体管用于提供该晶体管的顺向偏置的第一电压或反向偏置的第二电压其中至少一个，选择性提供用于调整关联该晶体管的时序的延迟。 | ||
| 搜索关键词： | fdsoi 技术 使用 调式 时序电路 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：执行半导体装置电路设计的操作模型化；界定至少一个晶体管用于提供顺向偏置该晶体管的第一电压或用于反向偏置该晶体管的第二电压其中至少一个；以及依据界定该至少一个晶体管，选择性提供用于调整关联该晶体管的时序的延迟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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