[发明专利]半导体单元在审
| 申请号： | 201610741316.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486545A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 冯天璟;张宗正 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体单元，包含基板；位于基板上方的缓冲结构；通道层，具有第一带隙，且位缓冲结构上方，包含第一部分及第一凸起部，其中第一凸出部位于第一部分之上，且具有第一顶面和连接第一顶面的第一倾斜侧面；阻障层，具有第二带隙大于第一带隙，且位于通道层上方，包含第二部分以及第二凸起部，其中第二部分位于第一部分之上，第二凸起部覆盖第一凸起部的第一顶面，且具有第二顶面和连接第二顶面的第二倾斜侧面，第二倾斜侧面平行于第一倾斜侧面；第一电极，位于第二凸起部上方；以及第二电极，位于阻障层的第二部分上方，且与第一电极相互分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体单元，包含：基板；缓冲结构，位于该基板上方；通道层，具有第一带隙，且位于该缓冲结构上方，包含第一部分及第一凸起部，其中该第一凸起部位于该第一部分之上，且具有第一顶面和第一倾斜侧面连接该第一顶面；阻障层，具有第二带隙大于该第一带隙，且位于该通道层上方，包含第二部分及第二凸起部，其中该第二部分位于该第一部分之上，该第二凸起部覆盖该第一凸起部的第一顶面，且具有第二顶面和第二倾斜侧面连接该第二顶面，该第二倾斜侧面平行于该第一倾斜侧面；第一电极，位于该第二凸起部上方；以及第二电极，位于该阻障层的该第二部分上方，且与该第一电极相互分隔。
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