[发明专利]一种背接触太阳能电池的制备方法及其电池和组件、系统

摘要

本发明涉及一种背接触太阳能电池的制备方法及其电池和组件、系统。本发明的背接触太阳能电池的制备方法，包括在N型晶体硅基体的前表面制绒、背表面硼注入、背表面选择性磷注入、前表面磷注入、退火、清洗并制备钝化减反膜、印刷金属电极及烧结等步骤。其有益效果是：无需使用复杂的介质膜掩膜生长及开孔工艺就可形成交替排列的p+掺杂区域和n+掺杂区域，极大地简化了工艺流程；n+前表面场、背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域在一次高温工序中共同形成，极大减少了高温工序数目，节约了生产成本；使用离子注入和退火的方法完成掺杂，相对扩散来说其方阻均匀性更好，过程更容易控制。

主权项

一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；(2)、在处理后的N型晶体硅基体的背表面进行离子注入，注入元素包括硼；(3)、在处理后的N型晶体硅基体的背表面进行选择性地离子注入，注入元素包括磷，磷的注入剂量大于硼的注入剂量；(4)、在N型晶体硅基体的前表面进行离子注入，注入元素包括磷；(5)、将处理后的N型晶体硅基体进行高温退火处理，退火的峰值温度为800～1100℃，退火时间为30～200min；退火完成后在N型晶体硅基体的前表面形成轻掺杂的n+前表面场，在N型晶体硅基体的背表面形成背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域；(6)、将步骤(5)处理后的N型晶体硅基体进行清洗处理，去除前表面和背表面的氧化层，然后在N型晶体硅基体的前表面形成钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面形成钝化膜；(7)、通过丝网印刷技术在N型晶体硅基体的背表面p+掺杂区域上印刷p+金属电极浆料，在背表面n+掺杂区域上印刷n+金属电极浆料，并进行烧结处理。