[发明专利]镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法，该方法包括先驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸、去离子水、乙酰丙酮和溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸钴以0.2‑0.4M的浓度在一定的温度下混合和将配制好的先驱体溶液用匀胶机甩开得到干膜，然后在快速热退火炉中分段升温进行热处理，得到所需厚度的LSCO薄膜材料。该薄膜性能优良，电阻率值为0.95mΩ·cm，晶粒尺寸为50～100nm，表面粗糙度为2.7nm，用该薄膜做铁电存储器的电极经标准铁电测量系统测试，3×10⁹次翻转后不显示疲劳。表明此薄膜材料适合做铁电存储器的电极。

主权项

一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法，其特征在于该制备方法的具体步骤如下：(1).先驱体溶液的配制：溶剂为醋酸、去离子水，稳定剂为乙酰丙酮，它们的体积比为23‑28∶4‑6∶3‑5；溶质为醋酸镧、醋酸锶、醋酸钴，它们的摩尔比为1∶1∶2，以0.2‑0.4M浓度溶于溶液中，配制的程序是：A.按上述的配制比先将溶剂醋酸、水，溶质醋酸镧、醋酸锶、醋酸钴混合，加热至60‑80℃使溶质完全溶解；B.再将乙酰丙酮加入上述的混合溶液中混合，加热至100‑120℃，时间100‑120分钟，使溶液充分回流，然后将溶液的浓度调节为0.2‑0.4M，即制成了稳定的先驱体溶液，(2).薄膜材料的制备：将配制好的先驱体溶液滴到基片上，用匀胶机将溶液均匀甩开，甩胶速率为3000‑6000转/分，时间为20‑40秒，溶剂迅速挥发得到干膜；然后将干膜与基片一起置于快速退火炉中分段升温进行热处理，即在150‑200℃下，加热2‑4分钟，再在320‑360℃下，热解2‑4分钟，最后在500‑800℃高温下，退火2‑4分钟，重复上述过程，直至得到所需厚度的LSCO薄膜材料。