[发明专利]一种基于三并咔唑衍生物的空穴传输材料与聚合物协同作用的钙钛矿太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201610742517.7 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106229413B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 刘军民;苏成勇;苏培洋;秦苏;黄礼博;徐耀维;陈逸凡 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉 |
地址: | 510275 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于三并咔唑衍生物的空穴传输材料与聚合物协同作用的钙钛矿太阳电池及其制备方法。该电池包括导电层、电子传输层、吸光层、协同作用层、空穴传输层和对电极层,所述的吸光层为钙钛矿结构材料,协同作用层为聚合物,空穴传输层由三并咔唑衍生物构成。其制备方法为:TiO2电子传输层旋涂在FTO导电玻璃层上,钙钛矿吸光层旋涂在电子传输层上,聚合物协同层旋涂在吸光层上,空穴传输层旋涂在聚合物协同层上,在FTO导电玻璃层和空穴传输层表面镀金作为对电极。本发明的钙钛矿太阳电池其空穴传输材料具有高的空穴迁移率,能级匹配好,所用的聚合物抑制了钙钛矿的降解和电荷复合,提高了电池的开路电压和FF值,增强了电池的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 衍生物 空穴 传输 材料 聚合物 协同 作用 钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于三并咔唑衍生物的空穴传输材料与聚合物协同作用的钙钛矿太阳电池,其特征在于:包括导电层、电子传输层、吸光层、协同作用层、空穴传输层和对电极层;所述的导电层为FTO导电玻璃;电子传输层为TiO2;吸光层为钙钛矿结构材料CH3NH3PbICl2,协同作用层为PVK,空穴传输层由
构成,;对电极层为金;其制备方法包括以下步骤:1)用4M盐酸和锌粉刻蚀FTO导电玻璃,清洗后,并用去离子水、乙醇以及丙酮超声清洗,处理好的导电玻璃泡在乙醇中备用;2)将TiO2胶状溶液通过乙醇以体积比1:3进行稀释,作为电子传输层;控制条件2000rpm,60s将电子传输层旋涂在FTO导电玻璃层上,并在500℃下热处理1小时;3)将步骤2)处理后的FTO导电玻璃浸泡在TiCl4溶液中,70℃下处理30分钟,随后在500℃下热处理1小时;TiCl4溶液是浓度为0.04mol/L TiCl4的去离子水溶液;4)0.245g PbCl2和0.415g CH3NH3I溶解在1mL DMF溶液中,制成钙钛矿吸光层的前驱体溶液;5)在隔绝氧气和水分的条件下,把步骤4)的前驱体溶液控制条件5000rpm,60s旋涂在步骤3)的TiO2电子传输层上,然后95℃下退火2小时;6)取PVK溶于氯苯中制成的协同作用层溶液;PVK氯苯溶液的浓度为25mg/3mL;7)在隔绝氧气和水分的条件下,将步骤6)的协同作用层溶液控制条件2000rpm,60s旋涂在步骤5)的钙钛矿吸光层上,然后40℃下退火30分钟;8)70mg
11μL锂盐溶液、28.8μL 4‑叔丁基吡啶以及3.9μL钴盐溶液溶入1mL氯苯溶剂,过滤得到空穴传输层备用;锂盐溶液为520mg双三氟甲烷磺酰亚胺锂溶于1mL乙腈溶液;钴盐溶液为0.25M的FK209乙腈溶液;9)在隔绝氧气和水分的条件下,将步骤8)的空穴传输层溶液控制条件5000rpm,60s旋涂在步骤7)的协同作用层上,40℃静置5小时;10)通过磁控溅射,在器件表面蒸镀一层70nm厚的金层作为对电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610742517.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池材料
- 下一篇:一种宽光谱太阳能电池材料
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择