[发明专利]一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610743554.X | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106252521B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法。制备方法包括：步骤A、将金属单质沉积到衬底上；步骤B、对所述金属单质进行氧化处理，使所述金属单质上生长出金属氧化物；步骤C、对所述衬底进行退火处理，使金属单质与金属氧化物进一步融合；步骤D、在所述衬底上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；步骤E、在沉积完各功能层的衬底上制作阴极，完成QLED器件的制备。通过本发明的方法，使得金属电极和金属氧化物之间没有明显的界面，进而减少了界面的缺陷态，从而增加了载流子的传输效率，提高器件的性能。这种金属/金属氧化物的结构降低了载流子传输的势垒，提高了器件的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 氧化物 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于金属/金属氧化物的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤A、将金属单质沉积到衬底上；/n步骤B、对所述金属单质进行氧化处理，使所述金属单质上生长出金属氧化物；/n步骤C、对所述衬底进行退火处理，使界面处金属单质与金属氧化物进一步融合；/n步骤D、在所述衬底上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；/n步骤E、在沉积完各功能层的衬底上制作阴极，完成QLED器件的制备；/n在所述步骤C与所述步骤D之间还包括：/n去除所述衬底表面的部分金属氧化物以露出部分所述金属单质。/n
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