[发明专利]一种ZnO基倒装LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种ZnO基倒装LED芯片及其制作方法，ZnO基倒装LED芯片包含N型GaN层，N型GaN层下方侧设置有发光层，发光层下设置有P型GaN层，P型GaN层下设置有ITO薄膜层，ITO薄膜层下设置有反射层，反射层下设置有保护层，保护层下设置有电极导电层，电极导电层下设置有导电层，导电层与支架相连，支架内还设置有保护材料，N型GaN层上方侧设置有缓冲层，缓冲层上方设置有ZnO层，ZnO层上方设置有衬底。利用ZnO 与GaN 的晶格几乎完全匹配的特性，保证其制备的良率和光效的提高；且有效提高芯片的发光效率；此方法比起直接在Wafer上进行激光剥离与化学腐蚀，良率提高很多。

主权项

一种ZnO基倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：、在所述衬底（13）上采用MOCVD法产生ZnO层（12）；、在所述的ZnO层（12）上采用MOCVD法制造外延wafer，所述外延wafer包括： N型GaN半导体材料层（2）、发光层（3）、P型GaN半导体材料层（4）；、在所述外延wafer上用光刻出图形，用ICP刻蚀出N型GaN半导体材料层（2），用物理沉积法在P型GaN半导体材料层（4）表面沉积出ITO薄膜层（5），再在ITO薄膜层（5）上用sputter沉积反射层（6），用PECVD法在反射层（6）沉积出保护层（7），最后用E‑GUN在保护层上沉积出电极导电层（8）和导电层（9）；、将成型的所述外延wafer通过研磨减薄，再用激光切割出芯粒；、使用保护材料将芯粒固定在所述支架（10）上，再用化学腐蚀法除去所述衬底（13）并除去外延wafer之间的ZnO，实现衬底（13）的剥离。