[发明专利]相变存储器读出电路及其数据读取方法

摘要

本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线、所述预充电电压产生模块和所述控制模块连接，用于根据所述预充电信号进行预充电，将m条所述本地位线同时充电到所述预充电电压，并在所述预充电信号结束后，停止预充电；灵敏放大器模块，与所述读位线连接，用于在停止预充电后，读取所述被选中的相变存储单元中存储的数据。本发明可以达到相对较小的随机读取时间，同时也兼顾了读取的正确性和读裕度。

主权项

1.一种相变存储器读出电路，所述相变存储器至少包括由m×n个相变存储单元组成的存储单元阵列，与所述相变存储单元连接的m条本地位线和n条字线，与m条所述本地位线一一对应连接的m个读传输门，以及与m个所述读传输门同时连接的读位线，所述相变存储单元至少包括选通器件和与所述选通器件连接的存储器件，其中，m、n均为大于等于1的自然数；其特征在于，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线、所述预充电电压产生模块和所述控制模块连接，用于根据所述预充电信号进行预充电，将m条所述本地位线同时充电到所述预充电电压，并在所述预充电信号结束后，停止预充电；灵敏放大器模块，与所述读位线连接，用于在停止预充电后，读取被选中的相变存储单元中存储的数据；其中所述预充电电压的数值预设为第一参考电压和第二参考电压数值坐标中间点的数值；所述第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压，所述第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压；或者所述第一参考电压为读取典型晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压，所述第二参考电压为读取典型非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压，所述典型晶态电阻值为所述相变存储器中分布最多的晶态电阻值，所述典型非晶态电阻值为所述相变存储器中分布最多的非晶态电阻值。