[发明专利]一种具有大光致伸缩效应器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610749279.2 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107256923B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 韩芍娜;赵艳伟;陈凤华;黄海松;赵娜 | 申请（专利权）人： | 郑州工商学院 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/25 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 孙诗雨;董晓慧 |
| 地址： | 451400 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有大光致伸缩效应器件的制作方法，是按照下述方式制备的：(1)选择具有取向的单晶作为导电衬底；(2)采用脉冲激光沉积法(也可以采用其它方法，只要能实现外延生长即可，例如分子束外延，MBE)在衬底上生长厚度为400‑600nm的压电薄膜；(3)采用脉冲激光沉积法(也可以采用其它方法，只要能实现外延生长即可，例如分子束外延，MBE)在压电薄膜上先生长导电薄膜、再生长绝缘层；在绝缘层上生长厚度为的铁电光伏层和电极。本申请通过掌握铁电多层膜的光驱动性多维度调控方法并弄清其机理，可以用于制作出具有大光致形变的光驱动器原型器件，为提高飞行器中操纵系统的抗电磁干扰能力奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 大光致 伸缩 效应 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有光致伸缩效应器件的制作方法，其特征在于是按照下述方式制备的：（1）选择具有取向的单晶作为导电衬底；（2）在衬底上生长厚度为100~1000 nm的压电薄膜；（3）在压电薄膜上先生长具有竖直部分和水平部分的L型导电薄膜、再生长绝缘层；在绝缘层上生长厚度为400~600nm的铁电光伏层和电极；所述的绝缘层采用两步脉冲沉积方式制备：a. 利用掩膜遮挡导电薄膜的水平部分，生长绝缘层至与导电薄膜的水平部分等高；b. 撤去掩膜，沉积绝缘层至相应的厚度。
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