[发明专利]直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极

摘要

本发明提供一种直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极，该阴极包括衬底，在衬底的预设区域上设置有多个相互独立的突起，每个突起顶端都设置有第一石墨烯薄膜且该第一石墨烯薄膜在突起顶端周边的厚度大于在突起顶端内部的厚度，各个突起之间设置有第二石墨烯薄膜，且针对至少一个突起，其顶端设置的第一石墨烯薄膜，相比于该突起与相邻突起之间设置的第二石墨烯薄膜存在高差。本发明可以提高石墨烯薄膜场发射阴极的电流发射能力。

主权项

一种直立式石墨烯薄膜场发射阴极，其特征在于，包括衬底，在所述衬底的预设区域上设置有多个相互独立的突起，每个突起顶端都设置有第一石墨烯薄膜且该第一石墨烯薄膜在突起顶端周边的厚度大于在突起顶端内部的厚度，各个突起之间的衬底平面上设置有第二石墨烯薄膜，且针对至少一个突起，其顶端设置的所述第一石墨烯薄膜，相比于该突起与相邻突起之间设置的所述第二石墨烯薄膜存在高差；所述衬底和突起都为导电材料制成，所述衬底包括金属基板或导电硅基板。