[发明专利]薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法

摘要

本公开提供一种薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法。本公开涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及使用该薄膜晶体管基板的显示器。该显示器包括：位于基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第一存储电容器电极；氧化物层，其覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，并且使第一存储电容器电极暴露；氮化物层，其被设置在氧化物层上，并且覆盖第一存储电容器电极；第二存储电容器电极，其包括第一金属层和第二金属层，并且在氮化物层上与第一存储电容器电极交叠；平面层，其层覆盖第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第二存储电容器电极：以及被设置在平面层上的像素电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：/n基板；/n位于所述基板上的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一半导体层、第一栅极、第一源极和第一漏极；/n位于所述基板上的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括第二半导体层、第二栅极、第二源极和第二漏极；/n中间绝缘层，该中间绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；/n位于所述基板上的第一存储电容器电极，该第一存储电容器电极与所述第一漏极在同一层处；/n氧化物层，该氧化物层覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，并且使所述第一存储电容器电极暴露；/n氮化物层，该氮化物层被设置在所述氧化物层上，并且覆盖所述第一存储电容器电极；/n第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极包括第一金属层和第二金属层，并且在所述氮化物层上与所述第一存储电容器电极交叠；/n平面层，该平面层覆盖所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二存储电容器电极：以及/n像素电极，该像素电极被设置在所述平面层上，/n其中，所述第一栅极与所述第一半导体层的中间部交叠，/n所述第一源极与所述第一半导体层的第一侧接触，/n所述第一漏极与所述第一半导体层的第二侧接触，/n所述第一漏极通过贯穿所述氮化物层和所述氧化物层的第一像素接触孔暴露，并且/n所述第一漏极经由所述第一像素接触孔与辅助漏极接触，所述辅助漏极与所述第二存储电容器电极的所述第二金属层被设置在同一层处，/n其中，所述像素电极经由贯穿所述平面层使所述辅助漏极暴露的第二像素接触孔与所述辅助漏极接触，/n其中，所述辅助漏极包括：/n所述第二金属层；以及/n所述第一金属层，所述第一金属层被设置在所述第二金属层下面，并且/n其中，所述第二半导体层被设置在所述中间绝缘层上。/n