[发明专利]一种光电子半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610750200.8 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449437A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张为凤 | 申请（专利权）人： | 张为凤 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电子半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：提供一临时载板，并在所述临时载板上布置多个导电载片以及多个电极片；使用注塑材料注塑形成注塑壳体，将一个发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片分别固定于相应的所述多个导电载片上，所述发射辐射的半导体芯片具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片设置在所述第一腔中，所述多个探测辐射的半导体芯片具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片设置在所述第二腔中，并且所述多个探测辐射的半导体芯片均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电子 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体器件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：（1）提供一临时载板（11），并在所述临时载板（11）上布置多个导电载片（1）以及多个电极片（10）；（2）使用注塑材料注塑形成注塑壳体，其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔，所述第一腔为由内壁（4）和底壁围成的圆柱形腔，所述第二腔为由外壁（5）和底壁围成的环绕第一腔的环形腔；（3）在所述第一腔的内壁的内侧涂覆反射层（6），所述反射层（6）材料为铝；（4）将一个发射辐射的半导体芯片（2）和多个探测辐射的半导体芯片（3）分别固定于相应的所述多个导电载片（1）上，所述发射辐射的半导体芯片（2）具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片（2）设置在所述第一腔中，所述多个探测辐射的半导体芯片（3）具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片（3）设置在所述第二腔中，并且所述多个探测辐射的半导体芯片（3）均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片；（5）去除所述临时载板（11），形成最终的光电子半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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