[发明专利]一种基于阵列式点压的晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201610751120.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298452B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 许维;刘洪刚;王盛凯;徐杨;王英辉;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合。与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阵列 式点压 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，其特征在于，包括：S1：在待键合的两个晶圆表面分别蒸发上一个金属层，在室温下将两个晶圆表面对准后，按压进行预键合；S2：将已经完成预键合的待键合晶圆进行加热；S3：使用点压设备在待键合晶圆的预设点上施加压力；S4：完成此次施压后，移动点压设备的施力部位或者移动待键合的晶圆，将键合区域更换到下一个预设点；S5：重复步骤S3和S4，直至所有预设点都经过点压键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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