[发明专利]晶片吸附台有效
申请号: | 201610751500.8 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN106298609B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 秋山肇;冈田章;山下钦也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于,提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附台。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台,具备:装载面,装载晶片;多孔质部,以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内;以及连结部,与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部。而且,该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。 | ||
搜索关键词: | 晶片 吸附 | ||
【主权项】:
1.一种晶片吸附台,在内部具有空间,其特征在于,具备:装载面,装载晶片;多孔质部,以表面露出于所述装载面、背面与所述空间相接的方式形成在所述晶片吸附台内;以及连结部,与所述空间连接并且延伸至所述晶片吸附台外部,在所述多孔质部中,越是远离所述连结部的部分形成得越薄,在所述晶片吸附台的最外周以包围所述装载面的方式形成有具有高度比所述装载面低的上表面的低洼部,在形成有所述装载面的部分与所述低洼部之间,形成了对所述装载面与所述低洼部的上表面进行连接的曲面,所述多孔质部的细孔孔径为10μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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