[发明专利]具有棋盘式布局的SCR及静电放电保护器件

摘要

静电放电(ESD)保护电路包括形成具有多行和多列的阵列的多组p型重掺杂半导体带(p+带)和多组n型重掺杂半导体带(n+带)。在多行和多列的每一个中，多组p+带和多组n+带被分配为交替布局。ESD保护电路还包括多个栅极堆叠件，每一个栅极堆叠件都包括与多组p+带中的一组的边缘对准的第一边缘、和与多组n+带中的一组的边缘对准的第二边缘。本发明还提供了具有棋盘式布局的SCR。

主权项

一种静电放电(ESD)保护器件，包括：第一支路，电耦合在第一节点与第二节点之间，所述第一支路包括：多个第一阱区域，位于具有第一导电类型的衬底中，并具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述多个第一阱区域布置在多个第一行中，所述多个第一阱区域彼此物理分离，和多个第一二极管，位于所述多个第一阱区域上，所述多个第一二极管布置为所述多个第一行和多个第一列，所述多个第一二极管的第一子集在正向方向上电耦合在所述第一节点与所述第二节点之间，所述多个第一二极管的第二子集在所述第一节点和所述第二节点之间电断开，所述多个第一二极管中的每一个二极管都包括：第一半导体带，具有所述第一导电类型；和第二半导体带，具有所述第二导电类型，其中，所述多个第一列的每一列内的相邻二极管中的第一二极管具有对应的第一半导体带，所述第一二极管的所述对应的第一半导体带沿着第一方向与所述相邻二极管中的第二二极管的对应的第二半导体带对准，其中，所述多个第一列的每一列内的相邻二极管中的第一二极管具有对应的第二半导体带，所述第一二极管的所述对应的第二半导体带沿着与所述第一方向平行的第二方向与所述相邻二极管的第二二极管的对应的第一半导体带对准，并且其中，所述多个第一列的至少一列内的电耦合在所述第一节点与所述第二节点之间的二极管的数量小于所述多个第一行的数量。