[发明专利]一种择优取向的铟锡合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610752183.1 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106282960B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞金;魏文左;张大伟;陶春先 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/30;C23C14/24 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明提供的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，能得到择优取向的铟锡合金薄膜。具体是指将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下进行沉积镀膜，在一定的真空条件下用电子束辐照轰击薄膜表面使其改性。一定真空度大于5×10‑4Pa；烘烤温度为100‑200℃。本发明制备的铟锡合金薄膜表现择优取向，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其生长取向。该种铟锡合金薄膜的结晶度好，具有良好的附着性、均匀性和热稳定，最终得到的铟锡合金薄膜具有优异的性能，是应用在传感器等领域中很有价值的材料。 1 | ||
| 搜索关键词： | 铟锡合金 薄膜 择优取向 制备 烘烤 辐照时间控制 电子束辐照 薄膜表面 电子束流 镀膜夹具 生长取向 石英基片 真空条件 传感器 附着性 结晶度 均匀性 热稳定 镀膜 改性 沉积 轰击 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，膜料的选择，采用一定含铟质量百分数的铟锡合金作为所述膜料；步骤二，基片的准备，经过一定清洗方式将所述基片清洗干净后，放置于真空蒸发设备中的镀膜夹具上；步骤三，铟锡合金薄膜的形成，在所述真空蒸发设备中，在一定的真空度和烘烤温度下以一定速率沉积所述膜料到所述基片上，得到所述铟锡合金薄膜；步骤四，择优取向的铟锡合金薄膜的形成，在所述真空蒸发设备中，在一定的真空条件下，控制大小，采用一定大小的电子束流的电子束辐照所述铟锡合金薄膜的表面，进行一定时间的轰击得到所述择优取向的铟锡合金薄膜，其中，在所述步骤四中，所述真空度为大于5×10‑4Pa，所述电子束流大小为15mA，所述轰击的时间为5‑30min。
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