[发明专利]一种刻蚀装置及其使用方法在审
| 申请号： | 201610752656.8 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106328512A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨泽新 | 申请（专利权）人： | 贵州乾萃科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 李进 |
| 地址： | 563000 贵州省遵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀装置及其使用方法。本发明刻蚀装置包括1个或多个刻蚀槽和过滤槽；所述过滤槽中设有过滤装置；所述过滤槽分别与每个刻蚀槽通过管路相连；所述过滤槽与循环装置通过管路相连，所述循环装置分别与每个刻蚀槽通过管路相连。本发明刻蚀装置通过循环装置，使刻蚀液循环流动，仅清理过滤槽中的废渣即可。本发明刻蚀装置具有结构简单，可循环利用刻蚀液，能够提高生产效率和刻蚀液的利用效率等优点。本发明刻蚀装置的使用方法简单，可连续进行刻蚀工艺，能够提高生产效率和刻蚀液的利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置包括1个或多个刻蚀槽和过滤槽；所述过滤槽中设有过滤装置；所述过滤槽分别与每个刻蚀槽通过管路相连；所述过滤槽与循环装置通过管路相连，所述循环装置分别与每个刻蚀槽通过管路相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
