[发明专利]一种制备有机晶体薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种有机晶体薄膜的制备方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上使溶剂蒸发，蒸发时间控制在3分钟以内，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使其在良溶剂的饱和蒸气压的环境下，在‑30～50摄氏度培养1～30小时，有机晶体沿着二维方向生长，从而得到有机晶体薄膜。本方法包括在高温溶剂蒸发时晶体迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的有机分子纳米颗粒通过毛细现象吸引后的自组装过程。晶体在与基板垂直的方向上生长受限，因此可以得到二维的有机晶体薄膜。有机晶体薄膜的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。

主权项

1.一种制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：将有机晶体原料、修饰剂溶解在第一有机溶剂中，并搅拌均匀，所述的机晶体原料和修饰剂的质量比为1:0.1～10，然后将混合溶液滴加到50‑150摄氏度的基板上进行蒸发，蒸发时间控制在3分钟以内，再将该基板置于甲醇的饱和蒸气压下的容器中，滴入第二种有机溶剂，所述的第二种有机溶剂为所述的有机晶体的良溶剂，根据相似相溶原理，依据所述的有机晶体的极性选择不同的第二种有机溶剂；在‑30～50摄氏度的温度下培养1～30小时，获得有机晶体薄膜；制备的有机晶体的长为50‑2000μm，宽为50‑2000μm，高0.02‑5μm；所述的有机晶体原料为二甲氨基苯乙烯基甲基吡啶盐类物质，所述的二甲氨基苯乙烯基甲基吡啶盐类物质为4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶2，4，6‑三甲基苯磺酸盐、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶萘磺酸盐、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶、对乙烯基苯磺酸盐、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶2，4‑二甲基苯磺酸盐、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶2‑萘磺酸盐、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对苯氨基苯磺酸、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶4‑氨基萘磺酸、4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶4‑(4‑二甲氨基苯基)偶氮甲基苯磺酸、或者4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对氯苯磺酸盐；所述的第一有机溶剂为甲醇、乙醇、氯乙醇、正丙醇、异丙醇、1‑丁醇、异丁醇、2‑丁醇、戊醇、异戊醇、丙三醇、二丙酮醇、丙酮、丁酮、环已酮、甲基正丙酮、甲基异丁基酮、二异丁基甲酮、甲基异戊基酮、甲醚、乙二醇丙醚、乙二醇丁醚、乙二醇己醚、羟乙基乙醚、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、丙二醇单丙基醚、甲酸、乙酸、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、正乙酸丙酯、乙酸异丁酯、乙酸正丁酯、乙酸甲基戊酯、丙酸正丁酯、乙酸戊酯、异丁酸异丁酯、乙二醇丁醚乙酸酯、二乙二醇乙醚乙酸酯、甲酸‑2‑乙基已酯、丙烯腈、氯仿、二氯乙烷、二硫化碳、环己烷、苯、甲苯、二甲苯、吡啶、2‑硝基丙烷、或者炔烃中的任意一种或两种以上的组合；所述的修饰剂为醇酸树脂类物质、季铵盐类表面活性剂、阴离子表面活性剂、或者硅氧烷表面活性剂中的任意一种；所述的第二有机溶剂为低沸点极性溶剂，所述的低沸点极性溶剂选自甲醇、乙醇、二甲亚砜或者丙醇。