[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201610753328.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106229340B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李学良;西里奥·艾·珀里亚科夫 | 申请（专利权）人： | 四川洪芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 629200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了减少在高反向偏置及高温条件下半导体器件特性的老化和退化，半导体器件采用聚合物作为钝化层，如聚酰亚胺。本发明所述聚合物材料和颗粒分布粒径4‑8德拜长度的半导体材料纳米颗粒，按照15%‑40%的体积比混合，被灌注形成钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括表面终止的PN结，所述PN结具有聚合物材料的钝化层；其特征在于：所述钝化层由聚合物材料和颗粒分布粒径为4‑8德拜长度的纳米半导体材料颗粒，按照15%‑40%的体积比混合，被灌注形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川洪芯微科技有限公司，未经四川洪芯微科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610753328.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超结MOS的终端结构及其制造方法
- 下一篇：沟槽栅IGBT
- 同类专利
- 专利分类
