[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底上有初始鳍部；在半导体衬底上形成覆盖初始鳍部的侧壁的隔离结构膜；在初始鳍部和隔离结构膜上形成掩膜层，掩膜层中具有贯穿掩膜层的第一开口；以掩膜层为掩膜沿第一开口刻蚀初始鳍部和隔离结构膜，在初始鳍部和隔离结构膜中形成凹槽，凹槽将初始鳍部分割，形成位于凹槽两侧的鳍部；之后沿垂直于掩膜层侧壁的方向刻蚀掩膜层，形成第二开口；在凹槽和第二开口中形成隔离层膜后，去除掩膜层；之后回刻蚀隔离层膜和隔离结构膜，使隔离层膜形成隔离层，使隔离结构膜形成隔离结构，隔离层的顶部表面高于或齐平于鳍部的顶部表面。所述方法能避免隔离层和鳍部之间出现孔隙缺陷。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有初始鳍部；在半导体衬底上形成隔离结构膜，所述隔离结构膜覆盖初始鳍部的侧壁；在所述初始鳍部和隔离结构膜上形成掩膜层，所述掩膜层中具有贯穿掩膜层的第一开口；以所述掩膜层为掩膜，沿第一开口刻蚀初始鳍部和隔离结构膜，在初始鳍部和隔离结构膜中形成凹槽，所述凹槽将初始鳍部分割，形成位于凹槽两侧的鳍部；形成所述凹槽后，沿垂直于掩膜层侧壁的方向刻蚀掩膜层以扩大第一开口，形成第二开口；在所述凹槽和第二开口中形成隔离层膜后，去除掩膜层；去除掩膜层后，回刻蚀所述隔离层膜和隔离结构膜，使隔离层膜形成隔离层，使隔离结构膜形成隔离结构，隔离层的顶部表面高于或齐平于鳍部的顶部表面，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面。