[发明专利]一种集成电路掩模版中金属残留去除方法有效
| 申请号： | 201610753687.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106252205B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 朱希进;王兴平;季书凤;尤春;沙云峰;刘维维;杨长华;魏杰;刘孝军;钱奇 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种集成电路掩模版中金属残留去除方法，该掩模版中包括基板、生长在基板上的金属层以及位于基板表面的金属残留，该金属残留去除方法中包括：S1在基板上涂覆保护膜层，所述保护膜层覆盖所述金属层和所述金属残留；S2去除位于所述金属残留表面的保护膜层，使所述金属残留裸露出来；S3通过化学腐蚀的方法去除所述金属残留；S4去除位于所述金属层表面的保护膜层，完成掩模版中金属残留的去除。本发明提供的金属残留去除方法无需使用其他支撑性设备，利用现有工艺设备即可完成对金属残留的快速清除，简单方便且能够节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 模版 金属 残留 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路掩模版中金属残留去除方法，其特征在于，所述掩模版中包括基板、生长在基板上的金属层以及位于基板表面的金属残留，所述金属残留去除方法中包括：S1在基板上涂覆保护膜层，所述保护膜层覆盖所述金属层和所述金属残留；S2去除位于所述金属残留表面的保护膜层，使所述金属残留裸露出来；S3通过化学腐蚀的方法去除所述金属残留；S4去除位于所述金属层表面的保护膜层，完成掩模版中金属残留的去除；在步骤S2中具体包括：S21强光照射位于所述金属残留表面的保护膜层，使所述保护膜层发生化学反应；S22通过显影的方法去除位于所述金属残留表面的保护膜层；通过光学显微镜对金属残留表面的保护膜层进行强光照射使其发生化学反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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