[发明专利]生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610754917.X | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106257694A | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨为家 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片，包括生长在铝酸镁钪衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的Al纳米岛层，生长在Al纳米岛层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片表面平整、缺陷密度低、光电学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸镁钪 衬底 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片，其特征在于，包括生长在铝酸镁钪衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的Al纳米岛层，生长在Al纳米岛层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。
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