[发明专利]氮掺杂碳纳米管复合L‑半胱氨酸修饰的玻碳电极的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201610755277.4 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN106290519A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 丁亚萍;王英子;欧阳小茜;李丽;杨华;廖兰凤;崔世强 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种氮掺杂碳纳米管复合聚L‑半胱氨酸修饰的玻碳电极及其应用。本发明主要是制备电沉积的氮掺杂碳纳米管和电聚合的L‑半胱氨酸修饰玻碳电极,通过差分脉冲伏安法对茶碱和咖啡因进行灵敏的定量分析测定。实验结果表明,在0.01 mol/L pH=1.70的硫酸‑硫酸钠缓冲溶液中,该修饰电极对茶碱和咖啡因具有明显的催化和增敏作用,在最优条件下,采用差分脉冲伏安法测定,茶碱和咖啡因浓度分别在0.1‑70.0μM和0.4‑140.0μM范围内与其峰电流呈良好的线性关系,检出限分别达到0.04和0.20μM。该法用于茶碱缓释片和可乐样品中的茶碱和咖啡因的含量的测定,结果令人满意。
搜索关键词: 掺杂 纳米 复合 半胱氨酸 修饰 电极 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种氮掺杂碳纳米管复合L‑半胱氨酸修饰的玻碳电极的制备方法,其特征在于:采用电化学沉积法结合循环伏安法的两步法,在玻碳电极表面包覆有氮掺杂碳纳米管复合聚L‑半胱氨酸的复合膜。
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