[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201610755917.1 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107785316A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括形成衬底，所述衬底上具有多个第一鳍部和多个第二鳍部；形成位于第一隔离结构和第二隔离结构；形成保护层，形成所述保护层的步骤中，工艺温度低于780摄氏度；回刻所述第二隔离结构，露出所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁表面。本发明技术方案在形成位于所述第一隔离结构上保护层的步骤中，工艺温度低于780摄氏度。形成所述保护层的工艺温度较低，能够有效降低所述保护层形成工艺对所述半导体结构的影响，减少半导体结构受损的可能，有利于提高所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个第一鳍部和多个第二鳍部，所述第二鳍部位于所述第一鳍部的延伸方向上，且沿垂直延伸方向，所述多个第一鳍部相互平行，所述多个第二鳍部相互平行；形成位于所述第一鳍部和所述第二鳍部之间的第一隔离结构，以及位于所述相邻第一鳍部之间和相邻所述第二鳍部之间的第二隔离结构；形成位于所述第一隔离结构上的保护层，形成所述保护层的步骤中，工艺温度低于780摄氏度；回刻所述第二隔离结构，露出所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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