[发明专利]一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610756154.2 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106158974A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈珙;张嘉阳;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明将矩形顶栅改为Ω型顶栅，由于Ω型栅结构的栅控能力接近围栅结构，因此Ω型顶栅FinFET对于Fin上1/3处的栅控能力必定大于矩形顶栅FinFET，这使得Ω型顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且Ω型顶栅FinFET的Fin上1/3处的沟道截面积并未有减小。本发明与传统的鳍型场效应晶体管相比，可获得较高的开态电流。且本发明与传统集成电路制造技术相兼容、工艺简单、成本代价小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型顶栅 结构 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ω型顶栅结构鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底、器件隔离、Ω型Fin沟道区、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔和Metal 0；其中，在半导体衬底上形成源区、漏区以及连接二者的Ω型Fin沟道区和器件隔离；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分Ω型Fin沟道区的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、Ω型Fin沟道区、栅电极层和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Metal 0。
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