[发明专利]美女樱扦插繁殖方法在审

专利信息
申请号: 201610756639.1 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN106234013A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 孙妙夫;但晓灵;杜凤麒 申请(专利权)人: 成都苗夫现代苗木科技有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G9/10
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所51213 代理人: 袁辰亮
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种美女樱扦插繁殖方法,所述的方法包括以下步骤:步骤一、在冬季将美女樱移入温室大棚内;步骤二、选择1‑2节枝条作为插穗备用;步骤三、在温室大棚内部整理出长方形畦,将扦插基质填入畦内,整平,用薄膜覆盖;步骤四、将插穗插入扦插基质内;步骤五、生根之后,对扦插苗进行摘心,喷施磷酸二氢钾和尿素直到2月底;步骤六、在二月底或者三月将幼苗上盆。本发明的扦插繁殖方法,经过严密的栽培试验,在冬季闲时,可将美女樱的扦插繁殖生根率与存活率提高到99%;利用先进的管理维护方法和科学技术解决了美女樱在冬季扦插繁殖的问题,为美女樱在园林应用中的花色搭配提供了有力支持。
搜索关键词: 美女 扦插 繁殖 方法
【主权项】:
一种美女樱扦插繁殖方法,其特征在于:所述的方法包括以下步骤:步骤一、在冬季将美女樱移入温室大棚内;步骤二、选择1‑2节枝条作为插穗,并对所述枝条进行杀菌消毒,之后将所述枝条放入生根诱导剂中浸泡,之后捞出置于阴凉处阴干,备用;步骤三、在温室大棚内部整理出长方形畦,将扦插基质填入畦内,整平,所述扦插基质低于畦缘10‑15cm;之后用消毒剂均匀喷施在畦内扦插基质上,并翻耕8‑10cm深,浇透水,用薄膜覆盖;步骤四、将所述步骤二中准备好的插穗插入所述步骤三中畦内扦插基质内;插孔深2cm‑3cm;温室大棚内温度控制在15℃‑20℃;步骤五、美女樱生根之后,对扦插苗进行摘心,喷施磷酸二氢钾和尿素一次,并做拱棚重新扣膜,以后每6‑8天揭膜喷施相同体积浓度的磷酸二氢钾和尿素一次,直到2月底;步骤六、在二月底或者三月将幼苗上盆。
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