[发明专利]生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法有效
| 申请号： | 201610757252.8 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206888B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨美娟;林云昊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸镁钪 衬底 ingan gan 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用铝酸镁钪衬底，以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于ScMgAlO4衬底的(0001)面；(2)衬底退火处理，所述退火的具体过程为：将衬底放入分子束外延真空生长室，在600～700℃下对ScMgAlO4衬底进行退火处理1～2小时，获得原子级平整的衬底表面；(3)第一GaN缓冲层外延生长：衬底温度调为450～550℃，采用脉冲激光沉积技术在反应室的压力为1.0～4.0×10‑5Pa、激光能量密度为1.5～3.0J/cm2的条件下生长GaN缓冲层；(4)非晶态AlN插入层的生长：衬底温度调为室温～200℃，在反应室的压力为1.0～4.0×10‑5Pa、生长速度为0.4～0.6ML/s的条件下生长AlN插入层；(5)第二GaN缓冲层外延生长：衬底温度调为450～550℃，采用脉冲激光沉积技术在反应室的压力为1.0～4.0×10‑5Pa、激光能量密度为1.5～3.0J/cm2的条件下生长GaN缓冲层；(6)InGaN/GaN多量子阱的外延生长：采用分子束外延生长工艺，生长温度为650～750℃，在反应室的压力为1.0～2.0×10‑5Pa、生长速度为0.2～0.4ML/s条件下，在步骤(5)得到的第二GaN缓冲层上生长InGaN/GaN多量子阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610757252.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
