[发明专利]一种钕铁硼磁体的烧结方法有效
| 申请号： | 201610757793.0 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106252012B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 余远 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 101300*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钕铁硼磁体的烧结方法，本发明在钕铁硼磁体制备过程中的多个步骤进行分析，从钕铁硼的烧结过程入手，采用分段烧结的方法，可以显著的防止晶粒长大，获得晶粒细小，密度均一的磁体，从而显著的提高磁体的磁性能，尤其是对于低稀土含量的钕铁硼磁体，特别是业内降低重稀土含量的同时，还会降低钕铁硼粉体的粒度以及过程氧含量，导致异常晶粒长大以及磁体的剩磁和方形度达不到要求的问题。本发明提供的方法能够得到无异常晶粒长大，且具有更好的剩磁和方形度的钕铁硼磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钕铁硼磁体的烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：A）在真空或保护性气体的条件下，将钕铁硼磁体压坯经过初级阶段阶梯升温烧制后，得到初段烧结中间体；B）将上述步骤得到的初段烧结中间体，进行第一阶段升温恒温烧制后，得到一段烧结中间体；所述烧结温度为T，所述第一阶段升温恒温烧制的恒温温度为T‑20℃；C）将上述步骤得到的一段烧结中间体，进行第二阶段升温恒温烧制后，得到二段烧结中间体；所述第二阶段升温恒温烧制的恒温温度为烧结温度；D）将上述步骤得到的二段烧结中间体，进行第三阶段降温后，得到三段烧结中间体；所述第三阶段降温后的温度为700~800℃；E）将上述步骤得到的三段烧结中间体，进行第四阶段升温恒温烧制后，得到钕铁硼磁体毛坯；所述第四阶段升温恒温烧制的恒温温度为T~ T+20℃。
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