[发明专利]一种改性钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 201610757824.2 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106158209A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨晓霞 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F1/00;B22F3/10;B22F3/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 101300*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改性钕铁硼磁体，由AlN粉末和钕铁硼磁体原料细粉经制备后得到。本发明针对现有的钕铁硼磁体耐腐蚀性差的问题，在磁体制备的诸多步骤中，从磁体的基础配制方面入手，向钕铁硼磁体细粉中添加纳米AlN粉，作为晶界添加化合物，在烧结过程中与富Nd相反应生成更稳定的，浸润性更好的晶界相，提高磁体的致密度，并且能提高主相间的去磁交换耦合作用，提高磁体矫顽力，有效改善磁体的磁性能和抗腐蚀性能。而且添加的AlN在高温下稳定，不会与富Nd相的Nd反应，纳米颗粒均匀分布在主相晶粒表面，改善钕铁硼晶界相，起到钉扎晶界、抑制晶界迁移的作用，细化了晶粒，形成晶界钉扎，保证了磁性能的整体稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改性 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改性钕铁硼磁体，其特征在于，由AlN粉末和钕铁硼磁体原料细粉经制备后得到。
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