[发明专利]一种化合物半导体的腐蚀方法在审
| 申请号： | 201610757979.6 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106257624A | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 法比奥·圣阿加塔;艾莉娜·耶尔沃利诺;罗伯特·索科洛夫斯基;董明智 | 申请（专利权）人： | 北京代尔夫特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100028 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化合物半导体的腐蚀方法，所述方法包括如下步骤：(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层；所述化合物半导体为二元和/或多元III‑V族化合物半导体；(2)采用高密度等离子体源产生的高密度等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；(3)去除氧化层；(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。所述方法能够快速、精确控制二元和/或多元III‑V族化合物半导体的刻蚀速率和刻蚀深度，表面损伤较低，无残留，且刻蚀表面均一性高，可用于晶体管凹栅和欧姆接触等结构的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层；所述化合物半导体为二元和/或多元III‑V族化合物半导体；(2)采用高密度等离子体源产生的高密度氧等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；(3)去除氧化层；(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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