[发明专利]一种提高太阳能电池转换效率梯度扩散法在审
申请号: | 201610760645.4 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN107785245A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 颜冬;初仁龙;董杰;李省 | 申请(专利权)人: | 泰州德通电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高太阳能电池转换效率梯度扩散法,属于太阳能电池领域。它具有石英炉预热、预氧化处理、预扩散处理、继续扩散处理、终扩散处理和后氧化处理6个步骤,其中所述预扩散处理、继续扩散处理和终扩散处理中小氮的通入量呈递减趋势。本发明的有益之处在于是一种以通源递减式与恒温递增式复合型扩散工艺,在保证合适的欧姆接触前提下,能减小表面复合,提高体内掺杂浓度,提高空间电荷区性能,达到良好的欧姆接触和表面复合速率,从而提高电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 太阳能电池 转换 效率 梯度 扩散 | ||
【主权项】:
一种提高太阳能电池转换效率梯度扩散法,其特征在于,具有以下步骤:步骤1、石英炉预热将硅片放入石英炉中,通入大氮,大氮的流量为15500‑16500sccm,然后将石英炉的炉温升至800‑820℃,保持650‑750s;步骤2、预氧化处理将氧气和大氮通入石英炉,其中氧气流量为1800‑2100sccm,大氮流量为14700‑15000sccm,通入时间控制在450‑500s,炉温保持在800‑820℃,完成对硅片的预氧化;步骤3、预扩散处理向石英炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体,其中小氮的流量为850‑950sccm,大氮的流量为14000‑14500sccm,氧气的流量为700‑800sccm,通入时间为550‑650s,炉温保持在800‑820℃,完成预扩散处理;步骤4、继续扩散处理大氮通入流量15500‑16500sccm,同时将炉温逐渐升至810‑830℃,保持300‑400s,然后将携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体通入石英炉,其中其中小氮的流量为750‑850sccm,大氮的流量为14500‑15000sccm,氧气的流量为600‑700sccm,通入时间为450‑500s,炉温保持在810‑830℃,完成继续扩散处理;步骤5,终扩散处理大氮通入流量15500‑16500sccm,同时将炉温逐渐升至817‑837℃,保持300‑400s,然后将携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体通入石英炉,其中其中小氮的流量为650‑750sccm,大氮的流量为14600‑15100sccm,氧气的流量为500‑600sccm,通入时间为350‑400s,炉温保持在817‑837℃,完成继续扩散处理;步骤6,后氧化处理待炉温降至在700‑750℃,将氧气和大氮通入石英炉,其中氧气流量为800‑1500sccm,大氮流量为14800‑15200sccm,通入时间控制在350‑400s,完成对硅片的预氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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