[发明专利]一种多晶硅电池电极结构在审
| 申请号： | 201610760766.9 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106229355A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 初仁龙;颜冬;李省 | 申请（专利权）人： | 泰州德通电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人： | 赵枫 |
| 地址： | 225300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅电池电极结构，属于太阳能电池领域。它具有正面电极和背面电级，所述正面电极上具有用于增强汇流效率的导流电极，所述背面电极侧面对称且均匀的设置有用于扩大接触面积减少阻抗的矩形触点，所述正面电极的面积为400mm²，所述背面电极的面积为52.8mm²。本发明的有益之处是：改善了组件焊接时的接触面积，减少传输时的串联电阻，最大程度增加太阳能电池组件的输出功率，进而增加收益率和电池到组件端的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 电池 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电池电极结构，具有正面电极（1）和背面电级（2），其特征在于：所述正面电极（1）上具有用于增强汇流效率的导流电极（1‑1），所述背面电极（2）侧面对称且均匀的设置有用于扩大接触面积减少阻抗的矩形触点（2‑1），所述正面电极（1）的面积为400mm²，所述背面电极（2）的面积为52.8mm²。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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