[发明专利]具有含氮的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610761105.8 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106098790A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李俊;张建华;蒋雪茵;张志林 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有含氮的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜场效应晶体管器件技术领域。含氮的氧化物的主要通过反应溅射、共溅射来实现，N元素相对总的摩尔百分比含量控制在0.1到3%之间。本器件依次由基板、栅极、绝缘层、含氮氧化物有源层、源极、漏极、钝化层构成。本发明能同时实现提升氧化物的电学性能和光照负偏压稳定性。另外，含氮氧化物的制备方法与现有的氧化物TFT制备工艺具有良好的兼容性，这样有效地节约了含氮氧化物TFT的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化物 薄膜 场效应 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有含氮的氧化物薄膜的场效应晶体管器件，其特征在于：按结构层次序依次逐层制备而成，主要由基板（1）、栅极（2）、绝缘层（3）、有源层（4）、源极（5）、漏极（6）和钝化层（7）构成底栅结构或顶栅结构，所述有源层（4）采用含N元素相对于有源层（4）中总物质量的摩尔百分比含量为0.1～3%的氧化物薄膜制成，所述有源层（4）的厚度为20～80 nm，所述绝缘层（3）和所述钝化层（7）的厚度均为50～200 nm，所述栅极（2）、所述源极（5）和所述漏极（6）的厚度均为50～100 nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610761105.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光学胶贴合设备
- 下一篇：数控立车转台油膜厚度控制方法
- 同类专利
- 专利分类
