[发明专利]一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器

摘要

本发明公开了一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，属于滤波器技术领域，包括4个空腔区域和数个金属柱，实现了增加滤波器工作曲线中过渡带的陡峭程度，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好和造价低等优点。

主权项

一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，其特征在于：包括上接地板G5，下接地板G6的上边间隔设有上接地板G5，下接地板的前边设有接地边框G1，下接地板的左边设有接地边框G3，下接地板的后边设有接地边框G2，下接地板的右边设有接地边框G4，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均设于下接地板G6和上接地板G5之间，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与下接地板G6连接，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与上接地板G5连接；接地边框G3的前侧框边设有输入端P1，接地边框G4的前侧框边设有输出端P2；接地边框G1的中间的后边从前至后依次间隔设有金属柱C1、金属柱C2、金属柱C3、金属柱C4、金属柱C5、金属柱C6和金属柱C7，金属柱C7的左边设有金属柱C8，金属柱C7的右边设有金属柱C10，金属柱C7的后边设有金属柱C11；上接地板G5上设有Z形缺陷Z1，下接地板G6上设有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上为交叉设置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉点位于金属柱C3和金属柱C4之间；金属柱C8的前边的空腔区域1为第一级滤波器，金属柱C8的后边的空腔区域2为第二级滤波器，金属柱C10的前边的空腔区域4为第四级滤波器，金属柱C10的后边的空腔区域3为第三级滤波器。