[发明专利]一种功率芯片用外延片生产工艺

摘要

本发明公开了一种功率芯片用外延片生产工艺，包括以下步骤步骤1、清洗衬底硅片；步骤2、将清洗后的硅片放入气相生长装置内，并将气相生长装置抽真空；步骤3、向气相生长装置内输入硅烷与磷烷的混合气体；步骤4、加热，并使气相生长装置内部温度维持在580℃～630℃，待硅片上淀积外延层厚度达到0.3～0.4μm时，停止加热；步骤5、采用氮气冲洗气相生长装置内部腔体，然后静置气相生长装置直至其内部温度降至室温，取出硅外延片成品。本发明整体工序简单，便于操作，成本低，且应用时能提升硅外延片的厚度均匀性和电阻率均匀性。

主权项

一种功率芯片用外延片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、清洗衬底硅片；步骤2、将清洗后的硅片放入气相生长装置内，并将气相生长装置抽真空；步骤3、向气相生长装置内输入硅烷与磷烷的混合气体；步骤4、加热，并使气相生长装置内部温度维持在580℃～630℃，待硅片上淀积外延层厚度达到0.3～0.4μm时，停止加热；步骤5、采用氮气冲洗气相生长装置内部腔体，然后静置气相生长装置直至其内部温度降至室温，取出硅外延片成品；所述步骤1中清洗衬底硅片具体包括以下步骤：步骤1.1、将硅片放入浓硫酸与双氧水按体积比1：1混合成的混合溶液中，采用0.8℃/s匀速升温的方式将混合液升温至100℃，并保持8min；步骤1.2、将硅片取出放入双氧水、氨水及去离子水按体积比1：1.2：5混合成的混合溶液中，采用0.8℃/s匀速升温的方式将混合液升温至75℃，并保持10min，然后取出硅片用去离子水冲洗；步骤1.3、将硅片放入质量分数为15%的氢氟酸溶液中浸泡40s，再取出用去离子水清洗；步骤1.4、将硅片放入双氧水、盐酸及去离子水按1：1.5：8混合成的混合溶液中，采用0.8℃/s匀速升温的方式将混合液升温至85℃，并保持18min，然后取出硅片用去离子水冲洗；步骤1.5、再次将硅片放入质量分数为15%的氢氟酸溶液中浸泡40s，然后取出硅片。