[发明专利]一种平面凸点式无金属切割封装工艺及其封装结构

摘要

本发明公开了一种平面凸点式无金属切割封装工艺及其封装结构，属于半导体制造领域。步骤如下：1)取金属基板；2)在金属基板正面、背面各自贴上干膜层；3)部分干膜层去掉；4)在金属基板上准备形成的基岛、连筋、引脚区域的正面镀上正面金属层，连筋处镀银；5)去除干膜层，漏出蚀刻区；6)半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的半蚀刻区域，形成基岛及引脚；7)芯片植入；8)打线；9)包封，后固化；10)在再次贴干膜层；11)去除金干膜层；12)在金属基板背面对不被干膜覆盖的区域进行全蚀刻，使基岛和引脚凸出塑封体表面；13)去除干膜层；14)形成管脚金属层；15)切割。它可以实现可靠性高，刀具磨损低的优点。

主权项

一种平面凸点式无金属切割封装工艺，其步骤如下：1)取一块金属基板(1)；2)在金属基板(1)正面、背面各自贴上干膜层(2)以保护后续的蚀刻工艺作业；3)将金属基板(1)正面的部分干膜层(2)去掉，在金属基板(1)上准备形成基岛(6)、连筋、引脚(5)；4)在金属基板(1)上准备形成的基岛(6)、连筋、引脚(5)区域的正面镀上正面金属层(3)，连筋处镀银；5)去除金属基板(1)上层余下的干膜层(2)，漏出蚀刻区(4)；6)对步骤5去除的干膜区域进行半蚀刻，在金属基板(1)上形成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛(6)及引脚(5)；7)在金属基板(1)的基岛(6)正面金属层(3)上进行芯片(7)植入，形成集成电路或分立元件的列阵式集合体半成品；8)对已经完成芯片(7)植入作业的半成品进行打线；9)包封，后固化；10)在金属基板背(1)面再次贴干膜层(2)；11)去除金属基板(1)半蚀刻区域背面的干膜层(2)，以露出后续需要蚀刻的区域；12)在金属基板(1)背面对不被干膜覆盖的区域进行全蚀刻，使基岛(6)和引脚(5)凸出塑封体(8)表面；13)去除金属基板(1)背面余下的干膜层(2)以利于后续的电镀工艺作业；14)在凸出的基岛(6)、引脚(5)电镀金属，形成管脚金属层(9)；15)将塑封体(8)正面贴上UV膜后进行切割作业，产品分离。