[发明专利]基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的CMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面刻蚀隔离沟槽；在隔离沟槽两侧分别生长电子传输层和空穴传输层；在电子传输层和空穴传输层表面生长CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收层；在Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极；在传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成CMOS器件。由于本发明的CMOS器件采用电子传输层传输电子阻挡空穴，采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，克服了现有技术中采用CH₃NH₃PbI₃材料的CMOS器件中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点。CMOS器件采用由CH₃NH₃PbI₃材料向沟道提供大量的电子和空穴，形成N型和P型的MOS器件，具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。

主权项

1.一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的CMOS器件，其特征在于，所述CMOS器件包括：Si衬底、栅介质层、隔离沟槽、电子传输层、空穴传输层、光吸收层、背电极和源漏电极；所述背电极、Si衬底、所述栅介质层和所述隔离沟槽依次此下而上设置，所述电子传输层和所述空穴传输层分别设置在所述隔离沟槽两侧，所述光吸收层在所述电子传输层和所述空穴传输层所形成的传输层上层，所述源漏电极设置在光吸收层表面；其中，所述栅介质层为SiO₂材料；所述电子传输层为TiO₂材料；所述空穴传输层为Spiro‑OMeTAD材料；所述光吸收层为CH₃NH₃PbI₃材料。