[发明专利]相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件在审
| 申请号： | 201610765557.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195775A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;郑怀瑜;马修·必实凯 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件。该相变化存储器元件为具有复合存储器单元的相变化存储器元件，包括第一存储材料层和第二存储材料层。此复合存储器由基本的相变化材料所组成，例如硫属化合物，以及一或多种添加剂。第一存储材料层采用无氧气氛所形成；第二存储材料层采用含氧气氛所形成。使用无氧气氛可防止第一电极的电极表面被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 元件 制作方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种相变化存储器元件的制作方法，其特征在于，包括：形成具有一电极表面的一第一电极；沉积一复合存储器单元，包括：使用一无氧气氛(oxygen‑free atmosphere)在一反应槽中在该第一电极表面上形成一第一存储材料层；以及使用一含氧气氛(oxygen‑containing atmosphere)在该反应槽中于该第一存储材料层上形成一第二存储材料层；以及在该复合存储器单元上形成一第二电极。
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