[发明专利]一种双重曝光的光刻工艺方法在审
| 申请号： | 201610766380.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298465A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李丹;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种双重曝光的光刻工艺方法，包括：在衬底硅片上沉积硬掩模层，然后涂布可形成硬膜的第一光刻胶，其中第一光刻胶成分中含有交联前驱体，而且交联前驱体在预定波长光源作用下使第一光刻胶发生交联硬化反应；执行曝光显影以形成第一曝光图形；经过第一次曝光后形成的光刻图形在预定波长光源下进行全面曝光处理，使得光阻内交联前驱体在该波长光源作用下触发交联硬化反应，从而达到固化第一曝光光刻图形的目的；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；执行曝光和显影后在第二曝光图形；以第二曝光图形和第一曝光图形为掩模，通过蚀刻将所述光刻胶图形转移到硅片上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双重 曝光 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种双重曝光的光刻工艺方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底硅片上沉积硬掩模层，然后涂布可形成硬膜的第一光刻胶，其中第一光刻胶成分中含有交联前驱体，而且交联前驱体在预定波长光源作用下使第一光刻胶发生交联硬化反应；第二步骤：执行曝光显影以形成第一曝光图形；第三步骤：经过第一次曝光后形成的光刻图形在预定波长光源下进行全面曝光处理，使得光阻内交联前驱体在该波长光源作用下触发交联硬化反应，从而达到固化第一曝光光刻图形的目的；第四步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；第五步骤：执行曝光和显影后在第二曝光图形；第六步骤：以第二曝光图形和第一曝光图形为掩模，通过蚀刻将所述光刻胶图形转移到硅片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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