[发明专利]一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法有效
| 申请号： | 201610766947.2 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106283194B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张国权;王晓杰;薄方;陈璟;陈绍林;孔勇发;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 畴结构 制备 铌酸锂晶体 热处理 制备装置 掺镁铌酸锂晶体 同成分铌酸锂 百纳米量级 百微米量级 极化技术 技术难题 铁电晶体 畴工程 批量化 极化 畴壁 切向 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)：利用极化技术，在铌酸锂晶体中构造出具有相反极化方向的极化区域，从而在铌酸锂晶体中形成畴壁结构；步骤(2)：将铌酸锂晶体置于高温炉中进行热处理，其中热处理温度高于80℃，时间不超过2小时；步骤(3)：对热处理后的铌酸锂晶体进行二次极化，其中所述二次极化需要在铌酸锂晶体冷却至室温后方可进行。
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