[发明专利]一种利用迭代法实现熔丝修调的方法有效
申请号: | 201610767531.2 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106370996B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 唐彩彬 | 申请(专利权)人: | 无锡中微腾芯电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214035 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种利用迭代法实现熔丝修调的方法,包括:步骤1,设定熔丝修调后基准电压的目标值并建立一张熔丝真值表;步骤2,进行一个芯片的测试,监控芯片烧熔丝前基准电压实测值;步骤3,根据烧熔丝前基准电压实测值和基准电压目标值计算出该管芯熔丝烧写的步数,再根据熔丝真值表的对应关系烧断相应的熔丝;步骤4,再次测量烧熔丝后基准电压值,并判断出基准值测试项是否合格;步骤5,根据烧熔丝前与烧熔丝后基准电压实测值计算出当前熔丝烧写的步距,并用于下一颗管芯的熔丝烧写计算当中。其优点是:迭代法用于熔丝修调,自动调整熔丝真值表,使之更加适用于当前圆片区域,修调后的基准值更加接近目标值,从而提升测试良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 迭代法 实现 熔丝修调 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用迭代法实现熔丝修调的方法,其特征是,包括如下步骤:步骤1、设定熔丝修调后基准电压的目标值Vtarget,并建立一张对应的熔丝真值表,熔丝真值表包含了芯片各个基准电压的实测值范围与需要烧断的熔丝的对应真值表;烧断每一段熔丝都能够引起基准电压值的变化,不同段熔丝的变化量呈比例关系,最小一段熔丝可以修调的值为熔丝步距LSB;步骤2、测量烧熔丝前芯片基准电压值,当基准电压实测值Vbef没有落在熔丝真值表的范围内时,直接将该芯片判断为不合格片;当Vbef在熔丝真值表中基准电压目标值所在的实测值范围内即无需进行熔丝修调时,对该芯片基准电压值测试部分做“通过”处理;其他情况下则需要继续执行下列步骤;步骤3、根据计算 (Vtarget‑ Vbef) / LSB的值四舍五入得出该芯片熔丝烧写的步数n,再根据熔丝真值表的对应关系烧断相应的熔丝;步骤4、测量烧熔丝后芯片基准电压值Vaf,当Vaf没有落在基准电压目标值所在的实测值范围内时,直接将该芯片判断为不合格片;若Vaf在基准电压目标值所在的实测值范围内时,则对该芯片基准电压值测试部分做“通过”处理;步骤5、根据公式LSB= (Vaf‑ Vbef) / n计算出新的熔丝步距值并用于下一颗芯片的熔丝计算中,实现LSB实时迭代熔丝修调;计算出新的熔丝步距值之后需要剔除一些不合理的LSB值,包括当测试到圆片边缘或者一块固定失效区域时,或者当LSB计算值超出理论值范围时,给LSB强制赋理论值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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