[发明专利]集成电路结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201610768469.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653682A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 林政贤;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;黄薰莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了在其中具有背侧硅通孔(B/S TSV)的集成电路结构及其形成方法。该方法包括的步骤为接收包括衬底的晶圆，该衬底具有前侧和背侧，所述前侧具有在其上的导体；从衬底的背侧形成背侧硅通孔(B/S TSV)以穿透衬底；并且用导电材料填充背侧硅通孔(B/S TSV)以形成与导体的电连接。因此，背侧硅通孔穿透衬底的背侧并且形成至衬底的前侧上的导体的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：接收衬底，所述衬底具有前侧和背侧，所述前侧包括位于其上的导体；从所述衬底的背侧形成通孔；以及用导电材料填充所述通孔以电连接至所述导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
