[发明专利]一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法有效
| 申请号： | 201610768689.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106129247B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈惠鹏;郭太良;张军;张国成;陈赐海;杨辉煌 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 交联 应对 有机 薄膜晶体管 绝缘 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，其特征在于，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；所述绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在所述基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对所述绝缘层表面改性。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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